1.机械抛光 机械抛光是依靠非常细小的抛光粉的磨削、滚压作用，除去试样磨面上的极薄一层金属。如果抛光前磨面上留有较深的磨痕，仅采用机械抛光是难以去除的。因为若将磨痕抛掉，势必要加浓抛光液，加长时间或加重抛光时所施加的压力，导致磨面表层金属流动和扰乱，试样磨面变形层加厚，使一些合金中的晶相脱落。尤其是硬度不太大铝合金是时，磨面表层的氧化将更厉害，从而影响组织观察。所以进行机械抛光的试样在细磨后只允许留有单一方向均匀的细磨痕。
2.化学抛光 化学抛光是靠化学试剂的化学浸蚀作用对样品表面凹凸不平区域的选择性溶解作用消除磨痕、浸蚀整平的一种方法。化学抛光设备简单，能够处理细管、带有深孔及形状复杂的零件，生产效率高。化学抛光可作为电镀预处理工序，也可在抛光后辅助以必要的防护措施直接使用。
3.电解抛光 电解抛光是指金属制品在一定组成的溶液中进行特殊的阳极处理，以获得平滑、光亮表面的精饰加工过程。它既可以作制品电镀前的表面准备，也可作镀后表面的精饰，还可作为金属表面独立的精饰加工方法。广东熙泉机电有限公司
5.磁性研磨抛光 磁性研磨抛光的方法是采用磁性研磨剂，通过磁场中磁力的作用，磁性研磨剂工作在表面，同时保持在模具表面和磁极之间间断工作。因此在制造过程中磁粒被有序的安排在沿着磁力线周围。同时形成了磁性刷，在磁力作用下围绕在模具表面。由于磁场和被加工件的旋转会使磁性刷和被加工件的表面产生一个相关的运动，这样可以用磁性研磨剂来抛光被加工件表面。通常在抛光时用一些仪器，例如数字控制磨机或者加工中心。
6.流体抛光 流体抛光是依靠高速流动的液体及其携带的磨粒冲刷工件表面达到抛光的目的。常用方法有：磨料喷射加工、液体喷射加工、流体动力研磨等。流体动力研磨是由液压驱动，使携带磨粒的液体介质高速往复流过工件表面。介质主要采用在较低压力下流过性好的特殊化合物（聚合物状物质）并掺上磨料制成，磨料可采用碳化硅粉末。
7.磁流变抛光 磁流变抛光技术，是利用磁流变抛光液在梯度磁场中发生流变而形成的具有黏塑行为的柔性"小磨头"与工件之间具有快速的相对运动，使工件表面受到很大的剪切力，从而使工件表面材料被去除。 磁流变抛光(MRF)是电磁理论、流体力学、分析化学等应用于光学表面加工而形成的一项综合技术。磁流变液是一种智能材料，其在磁场的作用下，可在1ms的时间内实现固-液两相的可逆转换。
8.化学机械抛光（CMP） CMP，即Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光。CMP技术所采用的设备及消耗品包括：抛光机、抛光浆料、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。CMP技术的概念是1965年由Monsanto首次提出。该技术最初是用于获取高质量的玻璃表面，如军用望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM 的制造中，而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM 的生产中以后，CMP技术在世界各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法，CMP通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。 CMP抛光液是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品，广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光。广东熙泉机电有限公司。