粗 、中、细SiC的配方应为5:1:4。制造碳化硅砖原料一般选用黑色SiC,其化学成分如下:SiC 98.0%,游离C 0.5%,Fe
0.2%,游离SiO2 0.6%。由于结合方式不同,工艺过程有差异。
不同结合方式的简要工艺是:
(1)氮化硅结合碳化硅砖:用粗、中、细碳化硅颗粒和细硅粉成型的坯体,在纯N2气体中,在1370产生一种
以&α-SiC为骨架和以&α和&β-Si3N4。为基质的氮化硅结合碳化硅砖。在基质中尚有少量残留硅和SiO2N2在制品中,这些组分的相对含量随制造工厂不同而异。
(2)结合碳化硅砖:将SiC、硅粉、炭粉按一定配比,混合、成型,在1400还原气氛中烧成。在大多数情况下采
用埋炭烧成。在烧成过程中,产生一种以&α-SiC为骨架,以细晶粒&β-SiC为基质的&β-Si3N4结合SiC砖。&β-SiC是在烧成过程中,细硅粉与细碳粉反应生成的,这种产品也含有少量残留硅和碳。
(3)氧氮化硅结合碳化硅砖:这种砖配料时,细硅粉配比要少于碳化硅。
碳化硅砖热导率高,有良好的耐磨性、抗热震性、耐侵蚀性。因此碳化硅砖在工业范围应用很广。可用于冶金盛钢筒内衬、水口、塞头,高炉炉底及炉腹,加热炉无水冷滑轨;有色金属冶炼蒸馏器、精馏塔托盘、电解槽侧墙、熔炼金属坩埚;硅酸盐工业窑炉的棚板及隔焰材料;化学工业中油气发生器、有机废料燃烧炉;高技术陶瓷用窑具铝电解槽内衬、熔融铝导管和陶瓷窑用窑具、大中型高炉炉身下部、炉腰和炉腹、铝精炼炉炉衬、锌蒸馏罐衬等。